Keramische Leiterplatten verwenden Keramiksubstrate wie Aluminiumoxid (Al₂O₃) oder Aluminiumnitrid (AlN). Sie zeichnen sich durch eine extrem hohe Wärmeleitfähigkeit (15–320 W/mK), eine hervorragende Isolierung und eine außergewöhnlich hohe Temperaturbeständigkeit (beständig gegen Temperaturen über 1000 °C) aus und sind somit ideal für Anwendungen in extremen Umgebungen. Ihr Wärmeausdehnungskoeffizient entspricht weitgehend dem von Halbleiterchips und löst so effektiv die Wärmeableitungsprobleme von Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräten. Sie werden häufig in High-End-Anwendungen wie 5G-Kommunikationsbasisstationen, Luft- und Raumfahrtelektronik, Hochleistungs-LEDs, Automobilelektronik und medizinischen Lasergeräten eingesetzt. Keramiksubstrate mit ihrer außergewöhnlichen chemischen Stabilität und ihren Hochfrequenzeigenschaften weisen unersetzliche Leistungsvorteile in Anwendungen wie Millimeterwellenradar und Leistungsmodulgehäusen auf und machen sie zu einem zentralen Faktor für die Miniaturisierung und hohe Zuverlässigkeit hochwertiger elektronischer Systeme.
| Materialien | FR-4, Aluminium, Keramik, Metall, Kupfer, Hochfrequenz, Starrflex, Halogenfrei |
| Plattenstärke | 0,3–6 mm |
| Kupferdicke | 0,5oz-5oz |
| Schichten | 1-32 |
| Herkunftsort | Anhui, China |
| Oberflächenbeschaffenheit | Standard-HASL, bleifreies HASL, OSP, Immersions-Nickel/Gold, Blaukleber, Immersions-Silber, Immersions-Zinn |
| Minimale Blende | 0,25 mm |
| Mindestspurbreite | 3mil (0,075mm) |
| Minimaler Leiterbahnabstand | 0,075 mm |
| Plattenstärke to aperture ratio | 10:1 |